MOSFET-100V-TO247

100 V N-Channel Power MOSFET

MOSFET de potencia de canal N con baja resistencia en conducción para fuentes conmutadas y sistemas de batería.

TO-247
Fuentes conmutadas / herramienta eléctrica / almacenamiento de energía
Power Semiconductors

Description

Product Description

El encapsulado TO-247 facilita la disipación y encaja en rectificación síncrona de fuentes conmutadas, herramientas a batería y convertidores bidireccionales de almacenamiento. Proponemos referencias cercanas según la corriente y la frecuencia reales.

Specifications

Voltage range: 100 V

Drain-Source Voltage	100 V
Encapsulated	TO-247
Tipo de canal	Canal N
Operating temperature range	-55 ℃ ~ +175 ℃
Typical Applications	Fuente conmutada, almacenamiento, herramienta eléctrica

Parameters indicate the typical category range; the confirmed data sheet with the order prevails.

Supply

Supply Notes

Permanent Stock Channel
Referencias equivalentes propuestas
Cinta y granel disponibles

Alternatives

Alternative models

The following references may serve as alternatives with similar parameters or pin compatibility; confirm in the datasheet.

Some rows are series references. Confirm encapsulation, nominal values, and fuse characteristics before bulk purchasing.

Sort

Brand

Alternative reference	Brand	Encapsulated	Face value	Note
IRFP460	Infineon	—	——	MOSFET de canal N, 100 V/20 A, encapsulado TO-247 compatible
IXFH36N100	IXYS	—	——	MOSFET de canal N, 100 V/36 A, sustituible en TO-247
STW45NM100	STMicroelectronics	—	——	MOSFET de canal N, 100 V/45 A, TO-247, Rds(on) más bajo
FQP12N100	onsemi	—	——	MOSFET de canal N, 100 V/12 A, TO-247, funcionalmente equivalente
IRF540N	Infineon	—	——	MOSFET de canal N, 100 V/33 A, TO-220, alternativa general

IRFP460

InfineonAnother enclosure

Encapsulated: —
Face Value: —/ —

MOSFET de canal N, 100 V/20 A, encapsulado TO-247 compatible

IXFH36N100

IXYSAnother enclosure

Encapsulated: —
Face Value: —/ —

MOSFET de canal N, 100 V/36 A, sustituible en TO-247

STW45NM100

STMicroelectronicsAnother enclosure

Encapsulated: —
Face Value: —/ —

MOSFET de canal N, 100 V/45 A, TO-247, Rds(on) más bajo

FQP12N100

onsemiAnother enclosure

Encapsulated: —
Face Value: —/ —

MOSFET de canal N, 100 V/12 A, TO-247, funcionalmente equivalente

IRF540N

InfineonAnother enclosure

Encapsulated: —
Face Value: —/ —

MOSFET de canal N, 100 V/33 A, TO-220, alternativa general

Alternative models are for reference only. Final selection must be confirmed based on application requirements and specifications. For further guidance, please submit an inquiry.